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投資10億元!這個高純碳化硅部件及涂層項目擬于2025Q4實現(xiàn)量產(chǎn)


來源:中國粉體網(wǎng)   空青

[導(dǎo)讀]  旌丞新材電子級高純碳化硅部件(>4N)及QCVD高純碳化硅涂層(>6N)產(chǎn)業(yè)化項目,擬在山東濟南進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化建設(shè),項目一期投資10億元,擬于2025年第四季度實現(xiàn)量產(chǎn)。

中國粉體網(wǎng)訊  近日,山東旌丞新材料科技有限公司(以下簡稱:旌丞新材)發(fā)布消息,經(jīng)過多年的研發(fā)積累及多輪次客戶驗證,旌丞新材電子級高純碳化硅部件(>4N)及QCVD高純碳化硅涂層(>6N)產(chǎn)業(yè)化項目,擬在山東濟南進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化建設(shè),項目一期投資10億元,擬于2025年第四季度實現(xiàn)量產(chǎn)。


 

碳化硅陶瓷:半導(dǎo)體制程中離不開的材料


碳化硅(SiC)作為重要的高端精密半導(dǎo)體材料,由于具有良好的耐高溫、耐腐蝕性、耐磨性、高溫力學(xué)性、抗氧化性等特性,在半導(dǎo)體、核能、國防及空間技術(shù)等高科技領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。


碳化硅陶瓷具有高的彈性模量和比剛度,不易變形,并且具有較高的導(dǎo)熱系數(shù)和低的熱膨脹系數(shù),熱穩(wěn)定性高,因此碳化硅陶瓷作為一種優(yōu)良的結(jié)構(gòu)材料在半導(dǎo)體設(shè)備中有廣泛的應(yīng)用。例如在研磨拋光吸盤、光刻吸盤、檢測吸盤、精密運動平臺、刻蝕環(huán)節(jié)的高純碳化硅部件、封裝檢測環(huán)節(jié)中精密運動系統(tǒng)等等,作用極其重要。


此外,SiC涂層作為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的常用耗材,主要用于襯底、外延、氧化擴散、刻蝕和離子注入等環(huán)節(jié)。不同材質(zhì)的外延爐需要不同性能指標(biāo)的石墨托盤,石墨材料的熱膨脹系數(shù)匹配要求適應(yīng)外延爐生長溫度,例如碳化硅生長外延的溫度較高,需要熱膨脹系數(shù)匹配度高的托盤。SiC的熱膨脹系數(shù)與石墨的熱膨脹系數(shù)相差很小,適合作為石墨基座表面涂層的首選材料。


關(guān)于旌丞新材


旌丞新材成立于2024年,主要從事軍民兩用高端復(fù)合材料產(chǎn)品、先進(jìn)陶瓷材料零部件的研發(fā)、制造、銷售、服務(wù)以及泛半導(dǎo)體設(shè)備表面處理服務(wù),擁有由超高分子量聚乙烯纖維、碳化硅、氧化鋁、氧化鋯等材料組成的先進(jìn)陶瓷基礎(chǔ)材料體系,是國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備用先進(jìn)陶瓷材料零部件的方案解決企業(yè)。


公司主要產(chǎn)品有超高分子量聚乙烯纖維防彈板、網(wǎng)繩、無傘空投產(chǎn)品及軍民兩用防護產(chǎn)品;應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、電子(包括鋰電池)材料粉體粉碎和分級、燃料電池制造、化工環(huán)保、汽車制造、生物醫(yī)藥以及傳統(tǒng)的紡織造紙等領(lǐng)域的設(shè)備和生產(chǎn)過程中的先進(jìn)陶瓷材料零部件產(chǎn)品;國內(nèi)領(lǐng)先的泛半導(dǎo)體設(shè)備表面處理服務(wù)等。


官網(wǎng)顯示,目前公司核心項目集中在碳陶剎車片和碳化硅材料的研發(fā)與應(yīng)用上。2024年12月,公司成功研制出一種低成本短纖碳陶剎車盤,該剎車盤采用了先進(jìn)的短纖維增強技術(shù),不僅提高了材料的強度和耐熱性,而且大幅度降低了生產(chǎn)成本。


來源:旌丞新材官網(wǎng)、山東半導(dǎo)體商會


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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作者:空青

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