中國粉體網訊  2025年8月1日，中國電子材料行業(yè)協(xié)會官網發(fā)函，批準發(fā)布團體標準《晶體生長用高純碳化硅粉體》，并予以公示，團體標準編號為“T/CEMIA 049-2025”，實施日期是2025年11月1日。

該團體標準適用于純度不低于99.9999wt%（6N）的晶體生長用高純碳化硅粉體，規(guī)定了晶體生長用高純碳化硅粉體的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則和包裝、標志、運輸及貯存。

近年來，制備高純SiC粉料逐漸成為SiC單晶生長領域的研究熱點。生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，雜質含量應至少低于0.001%，此外，碳化硅粉料的各項參數都直接影響單晶生長的質量以及電學性能。而碳化硅襯底使用環(huán)境的不同，生長用粉料合成技術也存在工藝不同，對于N型導電性單晶生長用粉料，要求純度高、物相單一；而對于半絕緣型單晶生長用粉料，則需要對氮含量進行嚴格的控制。

然而，由于缺乏統(tǒng)一標準，各企業(yè)對粉體指標要求不一，導致原料質量不穩(wěn)定，阻礙了下游產業(yè)發(fā)展。因此，由中國電子材料行業(yè)協(xié)會粉體技術分會提出制定《晶體生長用高純碳化硅粉體》團體標準，規(guī)范碳化硅粉體質量，滿足行業(yè)需求，以此推動整個半導體產業(yè)鏈的技術提升和健康發(fā)展。

該團體標準的發(fā)布填補了國內晶體生長用高純碳化硅粉體標準的空白，通過統(tǒng)一關鍵指標（如純度、雜質限值、粒度等），將顯著提升國產粉體質量和一致性，降低下游晶體生長環(huán)節(jié)的技術風險與驗證成本，加速國產高純碳化硅粉體的應用和替代進程，有力支撐我國第三代半導體產業(yè)鏈的自主可控與高質量發(fā)展。

來源：中國電子材料行業(yè)協(xié)會官網

（中國粉體網編輯整理/空青）

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