中國粉體網(wǎng)訊 楊德仁院士在學(xué)習(xí)時報發(fā)表的《硅為何成為集成電路的首選材料？》一文中提到：集成電路是信息產(chǎn)業(yè)的基石，也是高科技的“明珠”，而硅是集成電路的基礎(chǔ)材料。全球95%以上的半導(dǎo)體器件和90%以上的集成電路制作都是在硅片上完成的。所以說，沒有硅就沒有集成電路，沒有集成電路就沒有信息社會，所以硅是現(xiàn)代信息社會的基礎(chǔ)和核心材料。
硅之所以成為首選，原因有三個方面。一是其純度極高，在所有的物質(zhì)中，能夠被提得最純的就是硅材料，可達10個9以上，因此能控制材料里的電子輸運性質(zhì)；二是能夠把原子排列成高度有序的單晶體結(jié)構(gòu)，自然界中只有鉆石才能做到這樣，但硅晶體的體積可以很大，能達300毫米直徑，這是其他材料所不具備的；三是原料豐富，地殼中含量高達26%，制備成本低廉，工藝成熟，能生長大直徑、低缺陷的晶體，且可以做穩(wěn)定的氧化層，安全無毒。這些優(yōu)勢使硅在過去70年里穩(wěn)居集成電路基礎(chǔ)材料的核心地位。
楊德仁院士表示，硅材料是集成電路的基礎(chǔ)材料，它支撐了整個集成電路的發(fā)展，也支撐了信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。而摩爾定律的發(fā)展走到了極限，More Moore和More than Moore兩個賽道上都需要硅基新材料�？梢钥吹�，硅基的納米硅材料、硅基的異質(zhì)集成的新材料、硅基光電子的新材料等，都促進了集成電路向新一代的器件發(fā)展，促進了集成電路進一步的深化發(fā)展�？梢韵胂螅诩呻娐沸虏牧系闹蜗�，集成電路將超越摩爾定律，為人類的信息產(chǎn)業(yè)、高科技產(chǎn)業(yè)提供基礎(chǔ)的支撐。
而在浙江大學(xué)，有這樣一家實驗室，在楊德仁及多位院士、教授的帶領(lǐng)下，成為我國硅材料基礎(chǔ)研究、技術(shù)開發(fā)和人才培養(yǎng)的主要基地，實驗室哺育了三家微電子硅材料上市公司，承擔(dān)IC國家02重大科技專項，成果應(yīng)用于中國航天等高端產(chǎn)業(yè)鏈。它就是浙江大學(xué)硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室。
硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室（原名：硅材料國家重點實驗室、高純硅及硅烷國家重點實驗室）于1985年開始建設(shè)，1987年建成，1988年對外開放，是我國最早建設(shè)的國家重點實驗室之一。2022年年底，實驗室通過全國重點實驗室重組為“硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室”。實驗室主要依托浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院（材料科學(xué)與工程國家一級重點學(xué)科、“雙一流”建設(shè)學(xué)科），以及材料物理與化學(xué)（原名半導(dǎo)體材料）、材料學(xué)、凝聚態(tài)物理等國家二級重點學(xué)科。
機構(gòu)人員
實驗室主任：楊德仁院士
楊德仁，中國科學(xué)院院士，浙江大學(xué)硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室主任，長期從事半導(dǎo)體硅材料研究，在硅材料的基礎(chǔ)研究上取得重大成果，發(fā)明了微量摻鍺硅晶體生長系列技術(shù)，系統(tǒng)解決了相關(guān)硅晶體的基礎(chǔ)科學(xué)問題，研究了納米硅的結(jié)構(gòu)、性能，成功制備出納米硅管等新型納米半導(dǎo)體材料。以第一獲獎人獲得國家自然科學(xué)二等獎2項，國家技術(shù)發(fā)明二等獎1項，何梁何利基金科學(xué)與技術(shù)進步獎1項，浙江省科學(xué)技術(shù)一等獎4項，省部級科學(xué)技術(shù)二等、三等獎及其它科技獎6項；以第二、三獲獎人獲得省科學(xué)技術(shù)獎一等獎4項。
實驗室現(xiàn)有107名固定人員，其中106名科研人員、3名技術(shù)人員和1名專職管理人員，具有博士學(xué)位獲得者104名，已形成一支由4名兩院院士（張澤、楊德仁、葉志鎮(zhèn)、吳漢明）領(lǐng)銜、18名國家杰出青年基金獲得者、7名教育部長江學(xué)者、28名四青人才等共同組成的高水平研發(fā)隊伍。
實驗室具有完善的硅及先進半導(dǎo)體晶體生長、硅片加工、性能檢測和芯片驗證平臺，形成研究能力、高層次人才、重大成果產(chǎn)出等方面的較大優(yōu)勢，是我國硅材料基礎(chǔ)研究、技術(shù)開發(fā)和人才培養(yǎng)的主要基地。近年來獲國家獎12項，創(chuàng)新了摻氮調(diào)控硅單晶缺陷行為、使役條件下原位電鏡技術(shù)等重大理論，被行業(yè)和學(xué)界普遍認可。
研究方向
半導(dǎo)體硅材料
實驗室聚焦高端硅片雜質(zhì)與缺陷調(diào)控理論及技術(shù)、硅片工藝用關(guān)鍵原輔材料理論及技術(shù)等重大關(guān)鍵問題，解決半導(dǎo)體器件核心材料國產(chǎn)替代的的技術(shù)難題。實驗室具有完善的硅晶體生長，硅片加工和硅晶體材料檢測平臺，與國內(nèi)硅材料龍頭企業(yè)建立緊密的產(chǎn)學(xué)研合作。在國際上提出了“共摻雜控制硅單晶缺陷行為”的重大創(chuàng)新理論和技術(shù)，發(fā)明了微量摻氮、摻鍺直拉硅單晶等新產(chǎn)品，被國際微電子產(chǎn)業(yè)界廣泛接受和應(yīng)用。哺育了三家微電子硅材料上市公司。合作承擔(dān)了半導(dǎo)體器件國家02專項重大科技任務(wù)，成果應(yīng)用于中國航天等高端產(chǎn)業(yè)鏈。在國內(nèi)率先開發(fā)出高效鑄造晶體硅系列技術(shù)并實現(xiàn)了規(guī)�；a(chǎn)。
先進半導(dǎo)體材料
實驗室聚焦大規(guī)模/超大規(guī)模半導(dǎo)體器件、新型顯示、5G通信、傳感等信息領(lǐng)域發(fā)展急需的先進半導(dǎo)體材料，重點解決寬禁帶半導(dǎo)體材料生長、缺陷調(diào)控規(guī)律與外延技術(shù)關(guān)鍵科技問題，為我國信息產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈安全可控提供技術(shù)支撐。實驗室研發(fā)的高透明導(dǎo)電薄膜技術(shù)國際領(lǐng)先，并應(yīng)用于華燦光電（國際第二大LED芯片企業(yè)），鈣鈦礦LED發(fā)光效率數(shù)次刷新世界紀錄，并具有全鏈條貫通的寬禁帶半導(dǎo)體單晶生長、加工和外延設(shè)備體系和測試分析平臺。
半導(dǎo)體微納結(jié)構(gòu)與物理
實驗室聚焦使役條件下（高溫、載荷、氣氛、輻照等）半導(dǎo)體性能與微納結(jié)構(gòu)動態(tài)演變規(guī)律的重大科學(xué)問題，為硅及先進半導(dǎo)體材料技術(shù)突破提供理論支撐，推動微納結(jié)構(gòu)調(diào)控新材料設(shè)計及產(chǎn)業(yè)技術(shù)提升。率先研制出了掃描電鏡和透射電鏡中的原位原子分辨熱力電耦合測試系統(tǒng)；首次實現(xiàn)了氣固催化反應(yīng)過程原子級別的直觀成像，建立了外場調(diào)控活性位點的新方法。
參考來源：
浙江大學(xué)官網(wǎng).浙江大學(xué)硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室
學(xué)習(xí)時報.楊德仁院士：硅為何成為集成電路的首選材料？
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末）
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