參考價(jià)格
面議型號(hào)
場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro品牌
國(guó)儀量子產(chǎn)地
北京樣本
暫無(wú)電子光學(xué)放大:
1 ~ 1,000,000 x光學(xué)放大:
-分辨率:
0.9 nm @ 30 kV,SE探測(cè)器:
旁側(cè)二次電子探測(cè)器(ETD) 低真空二次電子探測(cè)器(LVD) 插入式背散射電子探測(cè)器(BSED)加速電壓:
200 V ~ 30 kV電子槍:
肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子槍看了場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro的用戶又看了
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SEM4000Pro是一款分析型熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡,配備了高亮度、長(zhǎng)壽命的肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍。三級(jí)磁透鏡設(shè)計(jì),束流**可達(dá)200 nA,在EDS、EBSD、WDS等應(yīng)用上具有明顯優(yōu)勢(shì)。標(biāo)配低真空模式,以及高性能的低真空二次電子探測(cè)器和插入式背散射電子探測(cè)器,可觀察導(dǎo)電性弱或不導(dǎo)電樣品。標(biāo)配的光學(xué)導(dǎo)航模式,以及直觀的操作界面,讓您的分析工作倍感輕松。
01配備高亮度、長(zhǎng)壽命的肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子槍
02分辨率高,30 kV 下優(yōu)于 0.9 nm 的極限分辨率
03三級(jí)磁透鏡設(shè)計(jì),束流可調(diào)范圍大,**支持 200 nA 的分析束流
04無(wú)漏磁物鏡設(shè)計(jì),可直接觀察磁性樣品
05標(biāo)配低真空模式,以及高性能的低真空二次電子探測(cè)器和插入式背散射電子探測(cè)器
06標(biāo)配的光學(xué)導(dǎo)航模式,中文操作軟件,讓分析工作更輕松
應(yīng)用案例
產(chǎn)品參數(shù)
關(guān)鍵參數(shù) 高真空分辨率 0.9 nm @ 30 kV,SE 低真空分辨率 2.5 nm @ 30 kV,BSE,30 Pa 1.5 nm @ 30 kV, SE, 30 Pa 加速電壓 200 V ~ 30 kV 放大倍率 1 ~ 1,000,000 x 電子槍類型 肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子槍 樣品室 真空系統(tǒng) 全自動(dòng)控制 低真空模式 **180 Pa 攝像頭 雙攝像頭 (光學(xué)導(dǎo)航+樣品倉(cāng)內(nèi)監(jiān)控) 行程 X=110 mm,Y=110 mm,Z=65 mm T: -10°~+70°,R: 360° 探測(cè)器和擴(kuò)展 標(biāo)配 旁側(cè)二次電子探測(cè)器(ETD) 低真空二次電子探測(cè)器(LVD) 插入式背散射電子探測(cè)器(BSED) 選配 能譜儀(EDS) 背散射衍射(EBSD) 插入式掃描透射探測(cè)器(STEM) 樣品交換倉(cāng) 軌跡球&旋鈕控制板 軟件 語(yǔ)言 中文 操作系統(tǒng) Windows 導(dǎo)航 光學(xué)導(dǎo)航、手勢(shì)快捷導(dǎo)航 自動(dòng)功能 自動(dòng)亮度對(duì)比度、自動(dòng)聚焦、自動(dòng)像散
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摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料,因?yàn)榫哂辛己玫目拐承?、增流性和?rùn)滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用,作為常用的藥用輔料潤(rùn)滑劑,比表面積對(duì)硬脂酸鎂有很大的影響,硬脂酸鎂的比表面積越大,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點(diǎn)、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、汽車(chē)工業(yè)、紡織、化工、航空航天等國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu),是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
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華南理工大學(xué)自旋科技研究院是高松院士主導(dǎo)成立的交叉學(xué)科研究機(jī)構(gòu),研究院以磁性分子為主要對(duì)象,探索自旋相關(guān)的化學(xué)反應(yīng)和物理效應(yīng),突破單分子自旋操控和讀出技術(shù),發(fā)展自旋相關(guān)量子材料和器件,開(kāi)發(fā)相關(guān)分子診療
國(guó)儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 在芯片制造工藝中,金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié)。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性,對(duì)芯片的性能
國(guó)儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升,芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號(hào)傳輸與芯片功能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在芯片工作時(shí),Al 互連導(dǎo)線
國(guó)儀量子電鏡在芯片鈍化層開(kāi)裂失效分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域,芯片鈍化層扮演著至關(guān)重要的角色。它作為芯片的 “防護(hù)鎧甲”,覆蓋在芯片表面,隔絕外界環(huán)境中的濕氣、雜質(zhì)以及機(jī)械應(yīng)力等不利