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 導(dǎo)航&防碰撞

光學(xué)導(dǎo)航

想看哪里點(diǎn)哪里，導(dǎo)航更輕松
標(biāo)配倉(cāng)內(nèi)攝像頭，可拍攝高清樣品臺(tái)照片，快速定位樣品。

手勢(shì)快捷導(dǎo)航

可通過(guò)雙擊移動(dòng)、鼠標(biāo)中鍵拖動(dòng)、框選放大，進(jìn)行快捷導(dǎo)航
如框選放大：在低倍導(dǎo)航下，獲得樣品的大視野情況，可快速框選您感興趣的樣品區(qū)域，提高工作效率。

防碰撞技術(shù)

采取多維度的防碰撞方案：
1. 手動(dòng)輸入樣品高度，精準(zhǔn)控制樣品與物鏡下端距離，防止發(fā)生碰撞；
2. 基于圖像識(shí)別和動(dòng)態(tài)捕捉技術(shù)，運(yùn)動(dòng)過(guò)程中對(duì)倉(cāng)內(nèi)的畫(huà)面進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)；
3. 硬件防碰撞，可在碰撞一瞬間停止電機(jī)，減少碰撞損傷。(*SEM3200A需選配此功能）

 豐富拓展性

掃描電子顯微鏡不僅局限于表面形貌的觀察，更可以進(jìn)行樣品表面的微區(qū)成分分析。
SEM3200接口豐富，除支持常規(guī)的二次電子探測(cè)器（ETD）、背散射電子探測(cè)器（BSED）、X射線(xiàn)能譜儀（EDS）外，也預(yù)留了諸多接口，如電子背散射衍射（EBSD）、陰極射線(xiàn)（CL）等探測(cè)器都可以在SEM3200上進(jìn)行集成。

背散射電子探測(cè)器
二次電子成像和背散射電子成像對(duì)比

背散射電子成像模式下，荷電效應(yīng)明顯減弱，并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。

鍍層樣品：

鎢鋼合金樣品：

四分割背散射電子探測(cè)器——多通道成像

探測(cè)器設(shè)計(jì)精巧，靈敏度高，采用4分割設(shè)計(jì)，無(wú)需傾斜樣品，可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像。

四個(gè)單通道的陰影像

成分像

能譜

LED小燈珠能譜面分析結(jié)果。 

電子背散射衍射

鎢燈絲電鏡束流大，完全滿(mǎn)足高分辨EBSD的測(cè)試需求，能夠?qū)饘?、陶瓷、礦物等多晶材料進(jìn)行晶體取向標(biāo)定以及晶粒度大小等分析。
該圖為Ni金屬標(biāo)樣的EBSD反極圖，能夠識(shí)別晶粒大小和取向，判斷晶界和孿晶，對(duì)材料組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確判斷。