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牛津Oxford離子束刻蝕機(jī)Ionfab 300 IBE
牛津Oxford離子束刻蝕機(jī)Ionfab 300 IBE

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深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司

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牛津Oxford離子束刻蝕機(jī)Ionfab 300 IBE

離子束刻蝕的靈活性、均勻性俱佳且應(yīng)用范圍廣。我們的設(shè)備具有靈活的硬件選項(xiàng),包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統(tǒng)配置與實(shí)際應(yīng)用緊密協(xié)調(diào),以確保獲得速率更快且重復(fù)性更好的工藝結(jié)果。

。多模式功能

。能夠與其它等離子體刻蝕和沉積設(shè)備相集成

。單晶圓傳送模式或集群式晶圓操作

。雙束流配置

。更低的表面薄膜粗糙度

。更佳的批次均勻性和工藝重復(fù)性

。準(zhǔn)確終點(diǎn)監(jiān)測 —— SIMS,發(fā)射光

產(chǎn)品特點(diǎn):

· 質(zhì)量薄膜高 ——超低污染

· 產(chǎn)量高,緊湊的系統(tǒng)體積設(shè)計(jì) ——運(yùn)行成本低

· 已獲得**的高速襯底架(高達(dá)1000RPM)設(shè)計(jì),并配備了白光光學(xué)監(jiān)視器(WLOM)——更為準(zhǔn)確的實(shí)時(shí)光學(xué)薄膜控制

· 配置靈活 ——適于先進(jìn)的研究應(yīng)用

· 靈活的晶圓操作方式 —— 直開式、單晶圓傳送模式或者帶機(jī)械手臂的盒對盒模式

應(yīng)用:

· 磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)

· 介電薄膜

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