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產(chǎn)品介紹▼

MDPmap是一個(gè)緊湊的離線臺(tái)式檢測(cè)設(shè)備，主要被設(shè)計(jì)用于生產(chǎn)控制或研發(fā)、測(cè)量少子壽命、光電導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息等參數(shù)。其工作狀態(tài)為穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(lì)下（μ-PCD）。

MDPmap自動(dòng)化的樣品識(shí)別和參數(shù)設(shè)置可以使該儀器方便地適應(yīng)各種不同的樣品，包括從生長(zhǎng)的晶圓到高達(dá)95%的金屬化晶圓之間不同制備階段的各種外延片和晶圓片。

MDPmap主要優(yōu)點(diǎn)是其高度的靈活性，它允許集成多達(dá)4個(gè)激光器，用于從超低注入到高注入的與注入水平相關(guān)的壽命測(cè)量，或者通過(guò)使用不同的激光波長(zhǎng)提取深度信息。

設(shè)備特點(diǎn)▼

>>靈敏度：對(duì)外延工藝監(jiān)控和不可見(jiàn)缺陷檢測(cè)，具有可視化測(cè)試的較高分辨率

>>測(cè)量速度：6英寸硅晶圓片，1mm分辨率 ，小于5分鐘

>>壽命測(cè)試范圍: 20納秒到幾十毫秒

>>沾污檢測(cè)：源自坩堝和生長(zhǎng)設(shè)備的金屬(Fe)污染

>>測(cè)量能力：從初始切割的晶圓片到所有工藝加工的樣品

>>靈活性：允許外部激光通過(guò)觸發(fā)器，與探測(cè)模塊耦合

>>可靠性：模塊化和緊湊臺(tái)式儀器，更高可靠性，正常運(yùn)行時(shí)間> 99%

>>重現(xiàn)性： > 99.5%

>>電阻率：無(wú)需時(shí)常校準(zhǔn)的電阻率面掃描

Lifetime map of passivated multicrystalline silicon

Iron contamination map of multicrystalline silicon

Bor oxygen map of mono silicon

Trap density map of mono silicon

設(shè)備參數(shù)▼