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產(chǎn)品詳情

LPCVD低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備（科研型LPCVD）簡介

是在低壓高溫的條件下，通過化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）?？捎糜诳茖W(xué)研究、實踐教學(xué)、小型器件制造。

設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點

1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本
兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。

基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。

基片形狀類型：不規(guī)則形狀的散片、φ2～4英寸標(biāo)準(zhǔn)基片。

2、設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)

由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。

反應(yīng)室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設(shè)備電控部分采用了先進的檢測和控制系統(tǒng)，量值準(zhǔn)確，性能穩(wěn)定、可靠。

LPCVD設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

LPCVD低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備（生產(chǎn)型LPCVD）簡介

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整個工藝過程由計算機對全部工藝流程進行管理，實現(xiàn)爐溫、氣體流量、壓力、閥門動作、泵的啟閉等工藝參數(shù)進行監(jiān)測和自動控制。也可以手動控制。

設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

LPCVD軟件控制界面