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一、整機(jī)簡述 特點(diǎn)/用途 ZHD350高真空電阻蒸發(fā)鍍膜機(jī)配4組蒸發(fā)源，兼容金屬材料蒸發(fā)與有機(jī)材料蒸發(fā)；該設(shè)備主機(jī)與控制一體化設(shè)計，PLC觸摸屏控制，操控方便，結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積??；該系列設(shè)備廣泛應(yīng)用于高校、科研院所的教學(xué)、科研實(shí)驗(yàn)以及生產(chǎn)型企業(yè)前期探索性實(shí)驗(yàn)及開發(fā)新產(chǎn)品等，深受廣大用戶好評。 其主要用途有： 1. 適用于鍍制低熔點(diǎn)金屬及合金材料薄膜，單層/多層/復(fù)合膜，例：銅、鋁、金、銀、鋇、鉍、鋅、銻等； 2. 適用于鍍制非金屬/化合物等材料薄膜；例：氧化鉬、氟化鋰等； 3. 適用于有機(jī)材料蒸發(fā)； 4. 適用于掃描電鏡制樣； 5. 適用于太陽能電池、LED的研究和實(shí)驗(yàn)。 二、設(shè)備主要技術(shù)參數(shù) 1.真空腔室 Φ350×H400mm（具體尺寸以實(shí)際設(shè)計為準(zhǔn)），304優(yōu)質(zhì)不銹鋼真空腔室；前門材質(zhì)為鍛鋁，表面處理采用鋁氧化工藝。腔室烘烤：室溫-150℃，清除吸附在腔體表面的殘留物。 2.真空極限 ≤5.0×10-5Pa；（設(shè)備空載）； 3.漏率 設(shè)備升壓率：≤0.8Pa/h； 設(shè)備保壓：停泵12小時候后，設(shè)備真空度≤8Pa； 4.基片臺尺寸 可鍍基片尺寸/面積：Φ100mm范圍內(nèi)可裝卡各種規(guī)格基片； 5.基片臺水冷/旋轉(zhuǎn) 基片臺溫度：10～35℃，旋轉(zhuǎn)速度：0-20轉(zhuǎn)/分鐘； 6.蒸發(fā)源及電源 3對水冷式蒸發(fā)電極；1臺3000W金屬蒸發(fā)電源切換3組蒸發(fā)電極； 有機(jī)源：有機(jī)蒸發(fā)源（溫度600°），1組； 有機(jī)控溫蒸發(fā)電源：1套（獨(dú)立PID智能溫控蒸發(fā)） 7.膜厚不均勻性 ≤±5%（基片臺Φ80mm范圍內(nèi)）； 8.控制方式 PLC+觸摸屏控制方式； 9.報警及保護(hù) 對泵、電極等缺水、過流過壓、斷路等異常情況進(jìn)行報警并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施；完善的邏輯程序互鎖保護(hù)系統(tǒng)。