中國粉體網(wǎng)訊 碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的核心材料,其晶圓尺寸的演進(jìn)一直是產(chǎn)業(yè)降本增效的關(guān)鍵路徑。當(dāng)前產(chǎn)業(yè)動態(tài)呈現(xiàn)出“6英寸主流、8英寸過渡、12英寸突破”的階梯式發(fā)展格局,技術(shù)迭代速度遠(yuǎn)超預(yù)期。浙江晶瑞:實現(xiàn)12英寸[更多]
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