中國(guó)粉體網(wǎng)訊 與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,SiC功率器件不能直接制作在SiC單晶材料上,必須在導(dǎo)通型SiC單晶襯底上使用外延技術(shù)生長(zhǎng)出高質(zhì)量的外延材料,然后在外延層上制造各類(lèi)器件。之所以不直接在SiC襯底上制造SiC器件,[更多]
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