国产在线 | 日韩,疯狂做受xxxx高潮不断,影音先锋女人aa鲁色资源,欧美丰满熟妇xxxx性大屁股

禁帶

推薦AlN單晶襯底-2英寸不是終點

中國粉體網(wǎng)訊 氮化鋁(AlN)是極具應(yīng)用潛力的超寬禁帶半導體材料,具有很多優(yōu)良的性質(zhì)。其禁帶寬度高達6.2eV,具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高化學和熱穩(wěn)定性,以及高導熱、抗輻射等優(yōu)異性能。是紫外/深紫外LED、紫外L[更多]

資訊 氮化鋁禁帶半導體單晶襯底
|
中國粉體網(wǎng)
8459 點擊8459
+ 加載更多