中國粉體網(wǎng)8月4日訊  記者從業(yè)內(nèi)獲悉，日前，中國石油大學(xué)（華東）理學(xué)院研究生陶葉晗等發(fā)現(xiàn)多孔石墨烯PG-ES薄膜可高效將氫氣從混合氣體中分離出來，并利用“能量勢壘”的模型闡述了分離原理。專家認(rèn)為，此研究成果有望推動新型氣體分離膜工藝的研發(fā)和技術(shù)革，并在產(chǎn)業(yè)化推廣中具有潛在的應(yīng)用價值。

    據(jù)介紹，氫能作為目前最具發(fā)展?jié)摿Φ那鍧嵞茉�，但其分離與提純方法是當(dāng)前制約氫能廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵問題。陶葉晗等發(fā)現(xiàn)，孔洞石墨烯具有較易控制的孔結(jié)構(gòu)。該團(tuán)隊采用計算機(jī)模擬方法，研究不同結(jié)構(gòu)及條件下，石墨烯對不同氣體分子的選擇性吸附和分離的影響，進(jìn)而探索石墨烯在氣體分離方面的應(yīng)用。這種理論對設(shè)計新型高效的氫氣分離膜具有重要意義。

    無獨(dú)有偶，西班牙Graphenea公司于近日宣布，與日本立命館大學(xué)等共同實現(xiàn)了GaN結(jié)晶用石墨烯作為中間層時在硅（100）面上的生長。該技術(shù)是日本立命館大學(xué)理工學(xué)部電子光信息工學(xué)科荒木努和名西Yasushi的研究室、美國麻省理工學(xué)院（MIT）、韓國首爾大學(xué)（Seoul National University）、韓國東國大學(xué)（Dongguk University）及西班牙Graphenea公司共同開發(fā)的。

    在硅（100）面上直接生長缺陷少的GaN結(jié)晶時非常困難，幾乎沒有成功先例。此次Graphenea公司等在硅（100）面上首先形成石墨烯，然后在石墨烯上實現(xiàn)（0001）面的GaN結(jié)晶生長。