中國(guó)粉體網(wǎng)訊 2025年8月21日，由中國(guó)粉體網(wǎng)主辦的“第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)”在蘇州·白金漢爵大酒店成功召開(kāi)！大會(huì)期間，中國(guó)粉體網(wǎng)記者有幸邀請(qǐng)到多位專家、企業(yè)界代表做客我們的“對(duì)話”欄目暢談碳化硅半導(dǎo)體前沿技術(shù)、裝備與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展，共同展望這一戰(zhàn)略性材料的無(wú)限潛能。本期為您分享的是青禾晶元半導(dǎo)體科技（集團(tuán)）有限責(zé)任公司聯(lián)合創(chuàng)始人＆副總經(jīng)理劉福超的專訪。
青禾晶元半導(dǎo)體科技（集團(tuán)）有限責(zé)任公司聯(lián)合創(chuàng)始人＆副總經(jīng)理劉福超
中國(guó)粉體網(wǎng)：劉總，您好，請(qǐng)您簡(jiǎn)單介紹下鍵合技術(shù)及其在半導(dǎo)體中發(fā)揮的作用？
劉總：鍵合包括材料鍵合和芯片鍵合。首先，材料和材料之間的鍵合，可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體材料和泛半導(dǎo)體材料之間的鍵合，以及半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料的鍵合。隨著器件的發(fā)展，以及我們科技、生活中的應(yīng)用和需求的提升，單一材料的性能難以滿足整個(gè)器件的需求，鍵合材料可以發(fā)揮兩種或多種材料不同的性能，鍵合起來(lái)的話具備多種功能，可以給我們提供更廣闊的材料應(yīng)用平臺(tái)。其次是芯片鍵合，隨著摩爾定律逐漸趨于極限，達(dá)到物理瓶頸，以及光刻對(duì)于國(guó)內(nèi)的一些限制，在平面拓展芯片的性能已經(jīng)難以進(jìn)一步提升，鍵合可以實(shí)現(xiàn)三維堆疊，那么可以從三維實(shí)現(xiàn)芯片集成，來(lái)進(jìn)一步提升芯片的性能水平。
中國(guó)粉體網(wǎng)：公司的常溫鍵合系列設(shè)備有哪些優(yōu)勢(shì)呢？
劉總：常溫鍵合就是材料互聯(lián)以及芯片互聯(lián)很匹配的一種方式。所謂常溫互聯(lián)就是在室溫的情況下實(shí)現(xiàn)材料牢靠的連接，這是其他鍵合材料無(wú)法達(dá)到的。它主要有幾種優(yōu)勢(shì)：第一，它的溫度是室溫，無(wú)需升溫，不同材料如果熱膨脹系數(shù)差異不同，那升溫帶來(lái)很大的變形或者是一些缺陷，室溫就可以做到很好地匹配。第二，它是沒(méi)有中間層的，像親水鍵合方式的話，它會(huì)加一個(gè)中間層，會(huì)影響到材料原始的熱學(xué)力學(xué)等性能，那常溫鍵合就是可以非常好地應(yīng)對(duì)。第三，常溫鍵合很高效，常溫鍵合只有鍵合一步，沒(méi)有后續(xù)的退火等制程，所以整體來(lái)講，生產(chǎn)效率會(huì)更高，更加適合大規(guī)模的量產(chǎn)。
中國(guó)粉體網(wǎng)：報(bào)告提到的超低阻碳化硅鍵合集成技術(shù)，國(guó)內(nèi)外研究進(jìn)展如何呢？
劉總：這個(gè)是從國(guó)外最先興起的，法國(guó)的Soitec在前些年出現(xiàn)了這種超低阻碳化硅，它極具碳化硅不同晶型的優(yōu)勢(shì)，既發(fā)揮4H單晶碳化硅可以做很好的低缺陷的外延生長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)，又能夠利用3C低阻多晶碳化硅電阻率做到極低，這樣整體芯片的導(dǎo)通性能可以更好，芯片的尺寸可以更小，那整個(gè)晶圓做的芯片數(shù)量可以更多，這是法國(guó)Soitec最先做的，它是行業(yè)的一個(gè)龍頭，像日本住友也在做這個(gè)事情。國(guó)內(nèi)就是青禾晶元，我們是國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)中等規(guī)模量產(chǎn)的企業(yè)。
中國(guó)粉體網(wǎng)：公司生產(chǎn)的碳化硅復(fù)合襯底有什么新的技術(shù)突破或創(chuàng)新？
劉總：技術(shù)突破的話，最近我們實(shí)現(xiàn)了低阻多晶鍵合碳化硅，電阻率已經(jīng)達(dá)到了1.5mΩ以下，這個(gè)相對(duì)于國(guó)際水平來(lái)講也是非常領(lǐng)先的。其次，在供體的這個(gè)4H單晶碳化硅，我們可以進(jìn)行反復(fù)利用超過(guò)20次，這也是目前全球領(lǐng)先的一個(gè)水平。
中國(guó)粉體網(wǎng)：當(dāng)前碳化硅鍵合還存在哪些技術(shù)難點(diǎn)？
劉總：現(xiàn)在存在的技術(shù)難點(diǎn)我覺(jué)得還是多晶，因?yàn)槎嗑蓟璧脑�，它有很多的晶界和不同的晶相，這些晶格之間、晶粒之間互相的高低差，如何在鍵合過(guò)程中去匹配去克服，從而減少鍵合帶來(lái)的缺陷，這也是目前的一個(gè)難點(diǎn)。我們也在通過(guò)工藝和裝備的雙向改進(jìn)來(lái)進(jìn)一步克服這個(gè)事情，目前我們的水平已經(jīng)達(dá)到了國(guó)際較為領(lǐng)先的水平，目前還是希望能夠進(jìn)一步提升，來(lái)獲得更多的芯片的良率。
中國(guó)粉體網(wǎng)：好的，感謝劉總接受我們的專訪。
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/石語(yǔ)）
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