中國(guó)粉體網(wǎng)訊 SiC是目前最具潛力的第三代半導(dǎo)體,但因其生產(chǎn)難度大、良率低,生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)形成大量廢片,導(dǎo)致SiC普及率相對(duì)較低。而直接鍵合技術(shù)可以通過(guò)鍵合將SiC的良片與廢片鍵合形成復(fù)合SiC襯底,顯著提升SiC襯底片的可用[更多]
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