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主要技術(shù)指標(biāo)
●靶材數(shù)量：2-4個(gè)
●基片尺寸：2-8英寸
●基片臺(tái)轉(zhuǎn)速：5-30rpm，轉(zhuǎn)速連續(xù)可調(diào)
主要特點(diǎn)
●具有多個(gè)濺射靶，可沉積單層、多層薄膜、合金薄膜和摻雜薄膜；
●濺射方式：自下而上濺射、自上而下濺射可選；
●基片臺(tái)可加熱，可制備單晶薄膜；
●可選配輔助清洗離子源，有效提高薄膜的附著力；
暫無數(shù)據(jù)！
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