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Insitec干法/濕法/噴霧式品牌
馬爾文帕納科產(chǎn)地
英國樣本
暫無誤差率：
Dv(50)±2%，使用驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)粒子板分辨率：
N/A重現(xiàn)性：
N/A儀器原理：
靜態(tài)光散射分散方式：
N/A測量時(shí)間：
N/A測量范圍：
0.1μm - 2500μm看了馬爾文帕納科在線粒度儀Insitec的用戶又看了
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Insitec系統(tǒng)具有在線連續(xù)粒度分析的功能，可進(jìn)行高效且具成本效益的工業(yè)工藝監(jiān)控。 其適用的工藝流范圍廣泛，從干粉到溫度又高又粘的漿料，再到噴霧及乳劑，無論每小時(shí)處理的材料量是幾毫克還是幾百噸，該系統(tǒng)均能得心應(yīng)手。 Insitec系統(tǒng)的測量粒度范圍是0.1 μm至2500 μm。
Insitec系列儀器堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)以及其運(yùn)用的激光衍射技術(shù)，迎合了工藝過程連續(xù)測量對分析儀器的嚴(yán)格要求，諸如：研磨、分級、噴霧干燥、霧化、過濾和造粒等各種環(huán)境，已成為大多數(shù)顆粒加工行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)裝備，包括調(diào)色劑、制藥、水泥、礦物、粉末涂料、碳素、乳化、顏料和金屬粉末等。
Insitec系列分析儀、工藝接口、粒度分析軟件、自動控制和數(shù)據(jù)報(bào)告均可定制化，以滿足您的特定需求。
Insitec干法
可在苛刻工業(yè)環(huán)境中使用的Insitec干式顆粒粒度分析儀，采用激光衍射技術(shù)測量0.1 μm至2500 μm的顆粒粒度。 Insitec干式分析儀通過選件進(jìn)行配置，適合各種實(shí)際的干式顆粒工藝，提供24小時(shí)實(shí)時(shí)監(jiān)測與控制，可用于：
粉塵區(qū)域危險(xiǎn)環(huán)境
氣體或粉塵區(qū)域危險(xiǎn)環(huán)境
移動式應(yīng)用
研磨材料
制藥工藝
Insitec濕法
可在苛刻工業(yè)環(huán)境中使用的Insitec濕式顆粒粒度分析儀，采用激光衍射技術(shù)測量乳劑、懸浮劑及漿液中0.1 μm至2500 μm的顆粒粒度。 Insitec濕式分析儀通過選件進(jìn)行配置，適合各種實(shí)際的濕式顆粒工藝，提供24小時(shí)實(shí)時(shí)監(jiān)測與控制，可用于：
氣體或粉塵區(qū)域危險(xiǎn)環(huán)境
全自動濃度控制
制藥工藝
自定義配置
合作解決方案
Insitec噴霧法
工業(yè)化設(shè)計(jì)，Insitec 噴霧型使用激光衍射發(fā)適用于測量0.1微米-2500微米的液滴和顆粒。 具有24小時(shí)實(shí)時(shí)監(jiān)測及控制功能的Insitec噴霧式分析儀甚至還可測量高濃度噴霧及氣溶膠。 使用選件靈活配置，簡化工藝安裝，可用于：
按要求量身定制的配置
粉末流
制藥工藝
24小時(shí)在線連續(xù)粒度分析
隨著動力電池和新能源汽車的需求爆發(fā)，鋰電正極材料也正在快速迭代，其中三元材料逐漸成為動力電池的主流選擇。目前三元材料中的鎳鈷錳成分分析多采用ICP分析方法，化學(xué)分析過程相對復(fù)雜、分析時(shí)間長、梯度稀釋誤
2021-08-06
XRF在鋰電正極材料元素分析中的應(yīng)用 水泥和似水泥物（混合材）體系水化過程的X射線衍射分析 馬爾文帕納科綜合樣本手冊 
月壤分析最新突破近日，中科院地質(zhì)與地球物理研究所巖石圈演化與環(huán)境演變?nèi)珖攸c(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì)（ 薛丁帥高級工程師和劉艷紅高級工程師為并列第一作者 ）聯(lián)合中國科學(xué)院國家天文臺在《Analytical C
活動回顧近日，第十八屆藥機(jī)展（PMEC 2025 ）在上海新國際博覽中心落下帷幕，馬爾文帕納科攜麥克默瑞提克在此次展會所展示的顆粒、粉體等先進(jìn)表征技術(shù)備受業(yè)內(nèi)人士關(guān)注。稍顯遺憾的是很多行業(yè)
展期：2025年6月24日-26日展館：上海新國際博覽中心W5館地址：上海市浦東新區(qū)龍陽路2345號展位號：W5P10W5P10 馬爾文帕納科展位效果圖2025年6月24日至26日，馬爾文帕納科（Ma
粒度儀數(shù)據(jù)反映顆粒的大小分布，而分形維數(shù)則是對這種分布背后 “形態(tài)復(fù)雜性” 的量化。通過計(jì)算分形維數(shù)，能從傳統(tǒng)粒度分析中挖掘出更深層的結(jié)構(gòu)信息，為理解顆粒的形成機(jī)制、優(yōu)化制備工藝、預(yù)測性能提供重要依據(jù)
本文摘要SiC端面傾角度數(shù)會影響晶體生長動力學(xué)、界面特性和器件的電場分布，決定了SiC功率器件的性能，傾角控制精度已從“工藝參數(shù)”升級為“核心競爭力”，本文將介紹4°傾角及其方向的重要性，以及馬爾文帕
本文由馬爾文帕納科XRD應(yīng)用專家陳辰供稿本文摘要PLSR 偏最小二乘回歸（Partial Least Squares Regression）是一種常用于處理多重共線性數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)建模方法。用于XRD定量
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