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復(fù)合SiC襯底

推薦鍵合技術(shù):SiC襯底降本新技術(shù)!

中國(guó)粉體網(wǎng)訊 SiC是目前最具潛力的第三代半導(dǎo)體,但因其生產(chǎn)難度大、良率低,生產(chǎn)過程中會(huì)形成大量廢片,導(dǎo)致SiC普及率相對(duì)較低。而直接鍵合技術(shù)可以通過鍵合將SiC的良片與廢片鍵合形成復(fù)合SiC襯底,顯著提升SiC襯底片的可用[更多]

資訊 復(fù)合SiC襯底第三代半導(dǎo)體鍵合技術(shù)碳化硅晶圓青禾晶元
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