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拋光

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中國粉體網(wǎng)訊 化學(xué)機械拋光（CMP）借助于拋光液中化學(xué)試劑的化學(xué)腐蝕和納米磨粒的機械磨削雙重耦合作用，可以在原子水平上實現(xiàn)材料的去除，可以在0.35μm及其以下尺寸器件上同時實現(xiàn)局部和全局平坦化，被廣泛應(yīng)用于光學(xué)元件、計算機[更多]

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