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CMP

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中國粉體網(wǎng)訊 化學機械拋光（CMP）借助于拋光液中化學試劑的化學腐蝕和納米磨粒的機械磨削雙重耦合作用，可以在原子水平上實現(xiàn)材料的去除，可以在0.35μm及其以下尺寸器件上同時實現(xiàn)局部和全局平坦化，被廣泛應用于光學元件、計算機[更多]

資訊 拋光研磨拋光拋光液CMP博來納潤
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