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Wafer XRD用于全自動晶圓揀選、生產(chǎn)和質(zhì)量控制
特點
適用于3到8寸晶圓。也可根據(jù)要求提供其他尺寸
FOUP、載具或單個晶圓臺
跨槽晶圓識別為可選功能
易于集成到任何工藝生產(chǎn)線中
測量速度:每個樣品<10秒
典型標(biāo)準(zhǔn)偏差(傾斜度):例如Si 100<0.003°
MES和SECS/GEM接口
銅靶微焦點風(fēng)冷X射線光管(**30W)或細焦點水冷X射線光管(**1.5kW)
完全符合CE標(biāo)準(zhǔn)的安全控制裝置
通過3色燈塔指示狀
材料
Si、SiC、GaAs、GaN、藍寶石(Al?O?)、Ge、AIN、石英、InP和100s等。
可選插件
電阻率測量范圍:0.01至0.020Ωcm
自動識別晶圓數(shù)據(jù)矩陣碼、二維碼、條形碼或類似代碼
未拋光晶圓和鏡面的距離測量
年產(chǎn)1,000,000片晶圓
暫無數(shù)據(jù)!
隨著動力電池和新能源汽車的需求爆發(fā),鋰電正極材料也正在快速迭代,其中三元材料逐漸成為動力電池的主流選擇。目前三元材料中的鎳鈷錳成分分析多采用ICP分析方法,化學(xué)分析過程相對復(fù)雜、分析時間長、梯度稀釋誤
2021-08-06
月壤分析最新突破近日,中科院地質(zhì)與地球物理研究所巖石圈演化與環(huán)境演變?nèi)珖攸c實驗室的研究團隊( 薛丁帥高級工程師和劉艷紅高級工程師為并列第一作者 )聯(lián)合中國科學(xué)院國家天文臺在《Analytical C
活動回顧近日,第十八屆藥機展(PMEC 2025 )在上海新國際博覽中心落下帷幕,馬爾文帕納科攜麥克默瑞提克在此次展會所展示的顆粒、粉體等先進表征技術(shù)備受業(yè)內(nèi)人士關(guān)注。稍顯遺憾的是很多行業(yè)
展期:2025年6月24日-26日展館:上海新國際博覽中心W5館地址:上海市浦東新區(qū)龍陽路2345號展位號:W5P10W5P10 馬爾文帕納科展位效果圖2025年6月24日至26日,馬爾文帕納科(Ma
粒度儀數(shù)據(jù)反映顆粒的大小分布,而分形維數(shù)則是對這種分布背后 “形態(tài)復(fù)雜性” 的量化。通過計算分形維數(shù),能從傳統(tǒng)粒度分析中挖掘出更深層的結(jié)構(gòu)信息,為理解顆粒的形成機制、優(yōu)化制備工藝、預(yù)測性能提供重要依據(jù)
本文摘要SiC端面傾角度數(shù)會影響晶體生長動力學(xué)、界面特性和器件的電場分布,決定了SiC功率器件的性能,傾角控制精度已從“工藝參數(shù)”升級為“核心競爭力”,本文將介紹4°傾角及其方向的重要性,以及馬爾文帕
本文由馬爾文帕納科XRD應(yīng)用專家陳辰供稿本文摘要PLSR 偏最小二乘回歸(Partial Least Squares Regression)是一種常用于處理多重共線性數(shù)據(jù)的統(tǒng)計建模方法。用于XRD定量