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電阻蒸發(fā)鍍膜設(shè)備ZHD300品牌
北京泰科諾產(chǎn)地
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設(shè)備型號：ZHD300 鍍膜方式：多源金屬蒸發(fā)真空腔室結(jié)構(gòu)：玻璃鐘罩 + 不銹鋼底座真空腔室尺寸：Φ300mm×H360mm 加熱溫度：室溫～ 250℃ 基片臺尺寸：Φ100mm 膜厚不均勻性：Φ80mm 范圍內(nèi)≤ ±5.0% 蒸發(fā)源：2組金屬蒸發(fā)源控制方式：PLC + 觸摸屏控制占地面積：主機 L1100mm×W800mm 總功率：≥ 5kW 適用范圍：大專院校、科研院所及企業(yè)進(jìn)行薄膜新材料的科研與小批量制備
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電子束蒸發(fā)（Electron Beam Evaporation）是物理氣相沉積的一種形式，其中待蒸發(fā)材料被來自帶電鎢絲的電子束轟擊，當(dāng)電子束撞擊目標(biāo)材料時，它的能量轉(zhuǎn)化為熱能，使目標(biāo)材料達(dá)到蒸發(fā)的狀態(tài)
真空鍍膜技術(shù)應(yīng)用行業(yè)近年來發(fā)展迅速，在各個行業(yè)都有廣泛的應(yīng)用。真空鍍膜技術(shù)用于表面改性和保護(hù)，以及提高產(chǎn)品的性能。該行業(yè)在設(shè)備、材料和工藝方面取得了重大進(jìn)步，這導(dǎo)致了新涂層技術(shù)和應(yīng)用的發(fā)展。在可再生能
本文詳細(xì)探討了磁控濺射過程中靶中毒這一關(guān)鍵問題。深入分析了靶中毒的現(xiàn)象、機理及對濺射過程和薄膜質(zhì)量的嚴(yán)重影響。通過對反應(yīng)氣體、濺射功率、靶材與基底材料等多種因素的綜合研究，揭示了靶中毒的成因。靶面金屬
蒸鍍技術(shù)作為一種重要的薄膜制備方法，在電子、光學(xué)、太陽能等眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。選擇合適的蒸鍍材料和蒸發(fā)裝置是制備高質(zhì)量薄膜的關(guān)鍵，直接影響到薄膜的性能、生產(chǎn)成本以及生產(chǎn)效率。本文深入探討常見蒸鍍材
北京泰科諾科技23年真空行業(yè)經(jīng)驗，獨立研發(fā)的熱絲法制備金剛石膜方法填補了國內(nèi)行業(yè)空白，產(chǎn)品獲得多項國家專利和認(rèn)證。廣泛適用于各大高校、科研院所和生產(chǎn)企業(yè)實現(xiàn)教學(xué)、研發(fā)和中試之目的。目前已初步實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化
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