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電阻蒸發(fā)鍍膜設(shè)備ZHD400品牌
北京泰科諾產(chǎn)地
北京樣本
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設(shè)備型號：ZHD400
鍍膜方式：多源蒸發(fā)鍍膜
真空腔室結(jié)構(gòu)：立式方形前開門結(jié)構(gòu)
真空腔室尺寸：L400mm×W440mm×H450mm
加熱溫度：室溫～ 300℃
基片臺尺寸：120mm×120mm
膜厚不均勻性：≤ ±5.0%
蒸發(fā)源：2-3 組金屬源 /2-3 組有機(jī)源
控制方式：PLC + 觸摸屏控制
占地面積：主機(jī) L1710mm×W850mm×H1850mm
總功率：≥ 8kW
大專院校、科研院所及企業(yè)進(jìn)行薄膜新材料的科研與小批量制備
1. 設(shè)備一體化設(shè)計(jì)，占地面積小，性價(jià)比高，性能穩(wěn)定，使用維護(hù)成本低；
2. 設(shè)備配備多組蒸發(fā)源，兼容有機(jī)蒸發(fā)與無機(jī)蒸發(fā) , 多源共蒸獲得復(fù)合膜。設(shè)計(jì)專業(yè)，功能強(qiáng)大，性能穩(wěn)定；
3. 適用于實(shí)驗(yàn)室制備金屬單質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜、有機(jī)膜，也可用于生產(chǎn)線前期工藝試驗(yàn)等。
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電子束蒸發(fā)（Electron Beam Evaporation）是物理氣相沉積的一種形式，其中待蒸發(fā)材料被來自帶電鎢絲的電子束轟擊，當(dāng)電子束撞擊目標(biāo)材料時(shí)，它的能量轉(zhuǎn)化為熱能，使目標(biāo)材料達(dá)到蒸發(fā)的狀態(tài)
真空鍍膜技術(shù)應(yīng)用行業(yè)近年來發(fā)展迅速，在各個(gè)行業(yè)都有廣泛的應(yīng)用。真空鍍膜技術(shù)用于表面改性和保護(hù)，以及提高產(chǎn)品的性能。該行業(yè)在設(shè)備、材料和工藝方面取得了重大進(jìn)步，這導(dǎo)致了新涂層技術(shù)和應(yīng)用的發(fā)展。在可再生能
本文詳細(xì)探討了磁控濺射過程中靶中毒這一關(guān)鍵問題。深入分析了靶中毒的現(xiàn)象、機(jī)理及對濺射過程和薄膜質(zhì)量的嚴(yán)重影響。通過對反應(yīng)氣體、濺射功率、靶材與基底材料等多種因素的綜合研究，揭示了靶中毒的成因。靶面金屬
蒸鍍技術(shù)作為一種重要的薄膜制備方法，在電子、光學(xué)、太陽能等眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。選擇合適的蒸鍍材料和蒸發(fā)裝置是制備高質(zhì)量薄膜的關(guān)鍵，直接影響到薄膜的性能、生產(chǎn)成本以及生產(chǎn)效率。本文深入探討常見蒸鍍材
北京泰科諾科技23年真空行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，獨(dú)立研發(fā)的熱絲法制備金剛石膜方法填補(bǔ)了國內(nèi)行業(yè)空白，產(chǎn)品獲得多項(xiàng)國家專利和認(rèn)證。廣泛適用于各大高校、科研院所和生產(chǎn)企業(yè)實(shí)現(xiàn)教學(xué)、研發(fā)和中試之目的。目前已初步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化
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