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高真空磁控濺射鍍膜設備JCPY500品牌
北京泰科諾產地
北京樣本
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設備型號：JCPY500
真空腔室結構：后置抽氣系統(tǒng)
真空腔室尺寸：Φ500mm×H450mm帶 Load-Lock 功能 支持單片或多片進取樣
加熱溫度 ：室溫～ 500℃
基片臺尺寸：Φ150mm
膜厚不均勻性 ：Φ100mm 范圍內≤ ±5.0%
濺射靶 ：Φ3、Φ4 英寸磁控靶 2-4 支（可選）
工藝氣體 ：3 路氣體流量控制
控制方式 ： PLC/PC（可選）
占地面積 （主機） ：L1800mm×W800mm×H1845mm
總功率 ：≥ 15kW
大專院校、科研院所及企業(yè)進行薄膜新材料的科研與小批量制備
1. 可提供工藝技術支持，及良好售后服務；
2. 設備結構緊湊，占地面積小，性價比高，性能穩(wěn)定，使用維護成本低；
3. 單靶濺射 / 多靶依次濺射或共同濺射，兼容 DC/MF/RF 濺射等功能 。
4. 可制備單層及多層金屬膜、介質膜、半導體膜、耐熱合金膜、硬質膜、耐腐蝕摸、透明導電膜，如鈣鈦礦空穴傳輸層、金屬電極以及透明導電層ITO膜層的制備等”；
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電子束蒸發(fā)（Electron Beam Evaporation）是物理氣相沉積的一種形式，其中待蒸發(fā)材料被來自帶電鎢絲的電子束轟擊，當電子束撞擊目標材料時，它的能量轉化為熱能，使目標材料達到蒸發(fā)的狀態(tài)
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