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鈣鈦礦大面積蒸發(fā)設(shè)備ZDF3200品牌
北京泰科諾產(chǎn)地
北京樣本
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1. 技術(shù)先進(jìn)、設(shè)計(jì)優(yōu)化，性?xún)r(jià)比高，性能穩(wěn)定，使用維護(hù)成本低。
2.大面積，復(fù)合型，批量制備，潔凈真空不同功能復(fù)合涂層制備，可獲得更高電池轉(zhuǎn)換效率。
3.廣泛用于鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及復(fù)合功能薄膜材料制備等應(yīng)用。
設(shè)備名稱(chēng)：鈣鈦礦大面積蒸發(fā)設(shè)備
設(shè)備型號(hào)：ZDF3200（單片/多片）
鍍膜方式：線(xiàn)源蒸發(fā)
真空腔室結(jié)構(gòu)：臥式方箱結(jié)構(gòu)
真空腔室尺寸：L810mm×W700mm×H670mm（鍍膜室）
極限真空：優(yōu)于5.0x10-?Pa
基片臺(tái)尺寸：330mm×420mm
基片溫度：80℃以下
膜厚不均勻性：≤±5.0%（330mmx420mm范圍內(nèi)）
蒸發(fā)源：高低溫線(xiàn)性蒸發(fā)源
膜厚監(jiān)控系統(tǒng)：國(guó)產(chǎn)或進(jìn)口多探頭（可選）
控制方式：PLC + 觸摸屏控制
占地面積：L3200mm×W2000mm×H1800mm
總功率：≥40KW
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電子束蒸發(fā)（Electron Beam Evaporation）是物理氣相沉積的一種形式，其中待蒸發(fā)材料被來(lái)自帶電鎢絲的電子束轟擊，當(dāng)電子束撞擊目標(biāo)材料時(shí)，它的能量轉(zhuǎn)化為熱能，使目標(biāo)材料達(dá)到蒸發(fā)的狀態(tài)
真空鍍膜技術(shù)應(yīng)用行業(yè)近年來(lái)發(fā)展迅速，在各個(gè)行業(yè)都有廣泛的應(yīng)用。真空鍍膜技術(shù)用于表面改性和保護(hù)，以及提高產(chǎn)品的性能。該行業(yè)在設(shè)備、材料和工藝方面取得了重大進(jìn)步，這導(dǎo)致了新涂層技術(shù)和應(yīng)用的發(fā)展。在可再生能
本文詳細(xì)探討了磁控濺射過(guò)程中靶中毒這一關(guān)鍵問(wèn)題。深入分析了靶中毒的現(xiàn)象、機(jī)理及對(duì)濺射過(guò)程和薄膜質(zhì)量的嚴(yán)重影響。通過(guò)對(duì)反應(yīng)氣體、濺射功率、靶材與基底材料等多種因素的綜合研究，揭示了靶中毒的成因。靶面金屬
蒸鍍技術(shù)作為一種重要的薄膜制備方法，在電子、光學(xué)、太陽(yáng)能等眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。選擇合適的蒸鍍材料和蒸發(fā)裝置是制備高質(zhì)量薄膜的關(guān)鍵，直接影響到薄膜的性能、生產(chǎn)成本以及生產(chǎn)效率。本文深入探討常見(jiàn)蒸鍍材
北京泰科諾科技23年真空行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，獨(dú)立研發(fā)的熱絲法制備金剛石膜方法填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)行業(yè)空白，產(chǎn)品獲得多項(xiàng)國(guó)家專(zhuān)利和認(rèn)證。廣泛適用于各大高校、科研院所和生產(chǎn)企業(yè)實(shí)現(xiàn)教學(xué)、研發(fā)和中試之目的。目前已初步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化
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