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導(dǎo)電型單晶襯底品牌
晶沐光電產(chǎn)地
江蘇樣本
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介紹：碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料，屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料。碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，硬度僅次于金剛石。它具有高硬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場等優(yōu)異特性。
應(yīng)用：新能源汽車領(lǐng)域：在電動(dòng)汽車的電驅(qū)系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)（OBC）、車載DC/DC及非車載充電樁等組件中廣泛應(yīng)用。例如在電動(dòng)車逆變器中，使用4H-N型導(dǎo)電碳化硅晶片制成的功率器件，可使整車能耗更低、尺寸更小、充電更快、續(xù)航里程更長。
?產(chǎn)品規(guī)格書
碳化硅4H-N導(dǎo)電型單晶襯底（2~8英寸） | ||||
直徑 | 50.8mm | 100.0mm | 150.0mm | 200.0mm |
厚度 | 350μm | 350μm | 350μm | 500μm |
表面晶向 | Off-Axis：4°toward <11-20>±0.5° | |||
主參考面晶向 | Parallel to <11-20>±1° | <1-100>±1° | ||
主參考面長度 | 16.0mm | 32.5mm | 47.5mm | Notch |
次參考面位置 | Silicon face up: 90.0? CW from Primary ± 5. | N/A | N/A | |
次參考面長度 | 8.0mm | 18.0mm | N/A | N/A |
電阻率 | 0.014～0.028Ω?cm | |||
正面狀態(tài) | Si-Face：CMP,Ra<0.2nm | |||
反面狀態(tài) | C-Face：Optical Polish,Ra<0.5nm | |||
鐳刻碼面 | Back side：C-Face | |||
總厚度偏差TTV | ≤10μm | ≤15μm | ≤15μm | ≤20μm |
彎曲度BOW | ≤25μm | ≤30μm | ≤40μm | ≤60μm |
翹曲度WARP | ≤30μm | ≤40μm | ≤60μm | ≤80μm |
邊緣去除 | ≤3 mm | |||
?
?產(chǎn)品性能表
碳化硅單晶 Silicon carbide | |
晶體結(jié)構(gòu) | 六方晶體 |
禁帶寬度(eV) | 3.26eV |
熔點(diǎn)（℃） | 2730℃ |
莫氏硬度(mohs) | 9.2 |
熱導(dǎo)率(W·cm-1·℃-1) | 4.9W·cm-1·℃-1 |
熱膨脹系數(shù)(℃-1) | 4.7×10-6 |
晶格常數(shù)(nm) | a=0.3076 c=0.5048 |
電子遷移率（cm-2·V-1·s-1） | 720a 650c |
擊穿電場(MV·cm-1) | 3.1 |
JFM指數(shù)（power） | 410 |
BFM指數(shù)(SW) | 290 |
BHFM指數(shù)(RF) | 34 |
折射率 | 2.6767～2.6480 |
暫無數(shù)據(jù)！
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