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碳化硅外延P-Type品牌
晶沐光電產(chǎn)地
江蘇樣本
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介紹：碳化硅（SiC）外延P型是通過(guò)在SiC襯底上生長(zhǎng)摻雜受主雜質(zhì)（如鋁或硼）的外延層實(shí)現(xiàn)的，具有寬禁帶、高導(dǎo)熱性和高擊穿電場(chǎng)等特性。
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應(yīng)用：應(yīng)用于功率電子（高效電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)）、高溫器件、IGBT（電動(dòng)汽車和電力系統(tǒng)）、BJT（高功率放大和開(kāi)關(guān)應(yīng)用）和射頻器件（5G基站和雷達(dá)）等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，特別適合高功率、高頻和高溫環(huán)境。
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碳化硅P型外延襯底（2~8inch） | ||||
襯底直徑 | 2英寸-50.8mm | 4英寸-100mm | 6英寸-150mm | 8英寸-200mm |
碳化硅襯底厚度 | 350μm | 350μm | 350μm | 500μm |
碳化硅襯底晶向 | Off-Axis：4°toward <11-20>±0.5° | |||
碳化硅襯底電阻率 | 0.014～0.028 Ω?cm | |||
外延導(dǎo)電類型 | P-type | |||
摻雜元素 | Al-doping | |||
外延層厚度 | ＜5 um | |||
外延層厚度均勻性 | ≤6% | |||
外延層表面 | RMS＜1nm | |||
外延結(jié)構(gòu)圖 |
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