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介紹:二氧化硅(SiO?)是一種常見的無機化合物,主要以石英、玻璃和硅膠等形式存在。它具有高硬度、高熔點(約1713℃)、優(yōu)異的化學穩(wěn)定性和良好的絕緣性能。
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應用:二氧化硅(SiO?)廣泛應用于半導體、光通信、玻璃和陶瓷等領域。它在電子工業(yè)中作為硅片的氧化層、絕緣介質和CMP拋光材料,在光通信中作為光纖的主要材料,并用于制造光學玻璃和防反射涂層。此外,SiO?還用于耐火材料、催化劑載體、食品添加劑和藥物載體,發(fā)揮其優(yōu)異的化學穩(wěn)定性和耐熱性。
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| 二氧化硅襯底(2~12inch) | ||||||
| 直徑 | 50.8mm | 76.2mm | 100mm | 150mm | 200mm | 300mm | 
| 厚度 | 400μm | 400μm | 500μm | 625 μm | 725μm | 775μm | 
| 表面晶向 | <100> ∣ <111> ∣ <110> | |||||
| 摻雜類型 | N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping) | P-type(B-Doping) | Intrinsic | |||
| 定位邊長度 | 16mm | 22mm | 32mm | 47.5mm | Notch | Notch | 
| 正面狀態(tài) | Epi-polished,Ra<0.5nm | |||||
| 反面狀態(tài) | SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm | |||||
| 氧化類型 | 單面氧化 ∣ 雙面氧化 | |||||
| 氧化層厚度 | 50nm | 100nm | 300nm | 500nm | 1000nm | 2000nm | 
| 總厚度偏差TTV | ≤8μm | ≤10μm | ≤10μm | ≤20μm | ≤30μm | ≤30μm | 
| 彎曲度BOW | ≤10μm | ≤12μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤45μm | 
| 翹曲度WARP | ≤12μm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30μm | ≤60μm | ≤60μm | 
| 邊緣去除 | ≤2 mm | ≤3 mm | ||||
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| 單晶硅 Si | |
| 晶體結構 | 金剛石立方晶體 | 
| 禁帶寬度(eV) | 1.12eV | 
| 熔點(℃) | 1414℃ | 
| 莫氏硬度(mohs) | 7 | 
| 熱導率(W·cm-1·℃-1) | 1.5W·cm-1·℃-1 | 
| 熱膨脹系數(shù)(℃-1) | 2.5×10-6 | 
| 晶格常數(shù)(nm) | a=0.5431 | 
| 電子遷移率(cm-2·V-1·s-1) | 1350 | 
| 擊穿電場(MV·cm-1) | 0.3 | 
| JFM指數(shù)(power) | 1 | 
| BFM指數(shù)(SW) | 1 | 
| BHFM指數(shù)(RF) | 1 | 
| 折射率 | 3.5 | 
暫無數(shù)據(jù)!
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