国产在线 | 日韩,疯狂做受xxxx高潮不断,影音先锋女人aa鲁色资源,欧美丰满熟妇xxxx性大屁股

前言：雜化鈣鈦礦晶體主要是將無(wú)機(jī)鹽和有機(jī)鹽充分混合及反應(yīng)后，然后將得到的前驅(qū)體溶液在介孔材料中的孔隙內(nèi)組裝而形成的。一般來(lái)說(shuō)，制備雜化鈣鈦礦晶體薄膜的方法有：①一步溶液旋涂法；②雙源氣相沉積法；③兩步溶液浸漬法。

①一步溶液旋涂法是將等摩爾比的CH3NH3I和PbI2的γ-丁內(nèi)酯或DMF溶液，然后將其旋涂在介孔TiO2薄膜上，通過(guò)自組裝形成雜化鈣鈦礦，再經(jīng)過(guò)退火后，即能獲得完整的晶形。一步溶液旋涂法的優(yōu)點(diǎn)有：（1）操作簡(jiǎn)單；（2）可以制備出完整性比較好的雜化鈣鈦礦晶體薄膜。一步溶液旋涂法的缺點(diǎn)有：（1）不能精確地控制形貌以及厚度；（2）一步溶液法形成的薄膜，其不但均勻性比較差，而且存在許多的形態(tài)缺陷；（3）由于原料中同時(shí)存在有機(jī)組分和無(wú)機(jī)組分，較難選擇同時(shí)溶解二者的溶劑，除此之外，還要考慮金屬價(jià)態(tài)穩(wěn)定性、溶解性和溶解度等因素，而這些因素將會(huì)對(duì)效率造成一定的影響。

②雙源氣相沉積法首先是把PbI2源和CH3NH3PbI3源按照特定的速度進(jìn)行蒸發(fā)，然后在介孔TiO2上進(jìn)行沉積，即可得到雜化鈣鈦礦晶體薄膜。氣相沉積法的優(yōu)點(diǎn)有：（1）能夠很好地控制薄膜的均勻度和厚度；（2）最終得到的薄膜材料具備較低的單分子復(fù)合速率和較高的載流子遷移率。氣相沉積法的缺點(diǎn)有：（1）難以平衡無(wú)機(jī)鹽和有機(jī)鹽二者的蒸發(fā)速率；（2）有機(jī)陽(yáng)離子在高溫下可能會(huì)發(fā)生蒸發(fā)；（3）不同種類的有機(jī)陽(yáng)離子將會(huì)對(duì)熱蒸發(fā)設(shè)備造成污染。

③兩步溶液浸漬法首先將PbI2與DMF溶液與γ-丁內(nèi)脂進(jìn)行混合，然后旋涂到介孔TiO2薄膜上沉積PbI2，然后將其與CH3NH3PbI3的1-丁醇溶液進(jìn)行混合，最終進(jìn)行干燥，即可得到產(chǎn)物雜化鈣鈦礦晶體薄膜。兩步浸漬法的優(yōu)點(diǎn)有：（1）可以得到完整性高的薄膜；（2）可以準(zhǔn)確地控制薄膜的形貌和厚度；（3）其制備出的雜化鈣鈦礦薄膜具有良好的覆蓋率以均勻度；（4）能夠適用于無(wú)機(jī)鹽和有機(jī)鹽互補(bǔ)相容的組分。兩步浸漬法的缺點(diǎn)主要為制備條件苛刻，其必須在氮?dú)獗Ｗo(hù)的干燥環(huán)境下進(jìn)行，不然難以得到性能良好的器件。

正文：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池自從2009年首次報(bào)道以來(lái)已經(jīng)取得了巨大進(jìn)展。大部分溶液法制備的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池已認(rèn)證的效率達(dá)到20％以上。然而幾乎所有高效率的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池都是用旋涂法制備的，這種制備方法無(wú)法滿足工業(yè)化的高吞吐量與規(guī)模化制備的要求。研究者研發(fā)了幾種適用于規(guī)模化生產(chǎn)的鈣鈦礦薄膜制備方法，如：刮刀涂布法、噴霧沉積法、噴墨打印法和電沉積等。其中，由于刮刀涂布法的基底溫度可控，因此在規(guī)?；苽涓哔|(zhì)量、大晶粒鈣鈦礦薄膜方法中脫穎而出。值得欣慰的是刮刀涂布法制備的鈣鈦礦太陽(yáng)電池效率以及高達(dá)19％，已經(jīng)十分接近旋涂法制備的器件。商業(yè)化生產(chǎn)不僅要滿足與規(guī)模化生產(chǎn)，還要滿足制造成本低。但是現(xiàn)在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池都需要昂貴的空穴傳輸層來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率，如spiro－OMeTAD等。此外，疏水性的空穴傳輸層的存在導(dǎo)致將鈣鈦礦薄膜很難刮涂上去。

因此考慮將空穴傳輸層去掉不僅有利于降低材料成本，還有利于降低制造成本，節(jié)約時(shí)間。然而在去掉空穴傳輸層后，鈣鈦礦薄膜與ITO的功函數(shù)不匹配導(dǎo)致空穴很難從鈣鈦礦傳輸至ITO層，因此導(dǎo)致器件效率低下。如何解決功函數(shù)匹配問(wèn)題是制備無(wú)空穴層高效鈣鈦礦太陽(yáng)能電池面臨的巨大挑戰(zhàn)。

【成果簡(jiǎn)介】

近日，北卡羅納大學(xué)和內(nèi)布拉斯加大學(xué)林肯分校的黃勁松教授在Nat． Commun．上發(fā)表了一篇題為“Molecular doping enabled scalable blading of efficient hole－transport－layer－free perovskite solar cells”的文章。該文章報(bào)道了一種分子摻雜策略成功的解決了鈣鈦礦與ITO的能帶不匹配問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了效率高達(dá)20％的無(wú)空穴傳輸層鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，此外該研究配合刮刀涂布法成功實(shí)現(xiàn)了高效太陽(yáng)能電池的量產(chǎn)化。

【圖文簡(jiǎn)介】

圖1：刮刀涂布法和摻雜F4TCNQ分子的鈣鈦礦薄膜

（a）刮刀涂布鈣鈦礦薄膜示意圖和F4TCNQ摻雜劑的化學(xué)結(jié)構(gòu)式；（b）基底為150攝氏度，刮涂在ITO上的鈣鈦礦薄膜的側(cè)面SEM圖；（c－h(huán)）無(wú)摻雜鈣鈦礦薄膜的AFM圖（c）和表面勢(shì)壘圖（f）；F4TCNQ摻雜鈣鈦礦薄膜的AFM圖（d）和表面勢(shì)壘圖g）；將F4TCNQ顆粒灑在雜鈣鈦礦薄膜的AFM圖（e）和表面勢(shì)壘圖（h）；（i）不同鈣鈦礦膜表面電位分布；（j）MAPbI3：F4TCNQ共混物能量圖和電子轉(zhuǎn)移過(guò)程示意圖。

圖2：純鈣鈦礦薄膜和摻雜鈣鈦礦薄膜的電導(dǎo)率和光致發(fā)光壽命

（a）鈣鈦礦薄膜橫向電導(dǎo)率的測(cè)試模型；（b）摻雜與無(wú)摻雜鈣鈦礦薄膜的I－V曲線；（c）時(shí)間分辨光致發(fā)光曲線；（d）導(dǎo)電原子力顯微鏡測(cè)試方法；（e－h(huán)）無(wú)摻雜的鈣鈦礦薄膜的晶粒形貌AFM圖（e）和在晶粒上與晶界上的C－V圖（f）；摻雜的鈣鈦礦薄膜的晶粒形貌AFM圖（g）和在晶粒上與晶界上的C－V圖（h）。

圖3：鈣鈦礦薄膜形貌，器件結(jié)構(gòu)與光伏性能

（a－b）摻雜鈣鈦礦薄膜的低分辨率與高分辨率SEM圖；（c）無(wú)空穴層鈣鈦礦電池器件結(jié)構(gòu)圖；（d）J－V曲線；（e）穩(wěn)態(tài)電流和穩(wěn)態(tài)PCE測(cè)試；（f）EQE和積分電流；（g）器件效率的統(tǒng)計(jì)分布圖。

圖4：界面空穴轉(zhuǎn)移機(jī)理

（a）空穴在ITO／MAPbI3界面轉(zhuǎn)移示意圖；（b）空穴在ITO／F4TCNQ－MAPbI3界面轉(zhuǎn)移示意圖。

【小結(jié)】

該研究首先利用刮刀涂布法克服了大規(guī)模制備高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜難題，然后通過(guò)分子摻雜法解決了高效率無(wú)空穴傳輸層鈣鈦礦電池的難題。最后器件效率高達(dá)20％，并且?guī)缀鯚o(wú)遲滯效應(yīng)。該研究為鈣鈦礦太陽(yáng)能電池商業(yè)化帶來(lái)了曙光。